In ’n bipolêre PNP-transistor bestaan die emittor en die kollektor albei uit P-tipe halfgeleiermateriaal en die basis is van die N-tipe. ’n Bipolêre PNP-transistor werk op dieselfde beginsel as ’n NPN-transistor. Daar is egter een verskil. In ’n PNP- transistor word die hoofstroomvloei beheer deur die aantal gate eerder as die aantal elektrone in die basis te verander. Verder werk hierdie soort transistor net reg as die negatiewe en positiewe aansluitings die teenoorgestelde van dié van ’n NPN- transistor is.
Spergebied Die twee tekeninge toon duidelik hoe die spergebied (lae) in verskillende soorte transistors gevorm is. Onthou dat die kollektor- en emittor swaar gedoteer is en dus ’n baie laer weerstand het as die basisstreek, wat lig gedoteer is. Onthou ook dat die basisstreek baie dunner is as die kollektor en emittor – in die diagramme hieronder word die basisstreek dikker geteken om dit meer sigbaar te maak.
Emittor Basis Kollektor
5
Spergebied
Emittor
Basis
Kollektor
Spergebied
Figuur 5.47: Vorming van spergebiede
Die tekening wys dat die spergebied wyer is in die basisstreek as in die kollektor en emittor. Die buitenste gebiede is swaarder gedoteer, wat elektrone diep in die basissstreek by die PNP-transistor, en holtes in die basisstreek by die NPN-transistor laat binnedring. Die spergebied word geskep deur die diffusie wat plaasvind tussen die N- en P-tipes materiaal. By die PNP-transistor waaraan geen voorspanning aangewend is nie, kan daar gesien word dat die afsluitspanning van die P-streek naby die PN-aansluiting meer negatief is en die basisstreek naby die PN-aansluiting meer positief is. Die afsluitspanning by die NPN-transistor is omgekeerd.