Onsuiwerhede met vyf valensie-elektrone lewer N-tipe halfgeleiers deur ekstra elektrone te skenk.
Die toevoeging van pentavalente onsuiwerhede soos antimoon, arseen of fosfor dra vry elektrone by, wat die geleidingsvermoë van die intrinsieke halfgeleier grootliks verbeter.
P-tipe halfgeleier Trivalente onsuiwerhede.
Onsuiwerhede met drie valensie-elektrone lewer P-tipe halfgeleiers deur ’n "gat" of elektrontekort te veroorsaak.
Die toevoeging van trivalente onsuiwerhede soos boor, aluminium of gallium tot ’n intrinsieke (suiwer) halfgeleier skep tekorte aan valensie-elektrone wat "gate" genoem word.
Figuur 5.33: Diode P-tipe halfgeleier materiaal
Bou van ’n diode ’n Diode word gemaak deur twee gelykwaardig gedoteerde P-tipe en N-tipe halfgeleiers teen mekaar te plaas. Wanneer hulle saamgevoeg word, vorm holtes van die P-tipe en elektrone van die N-tipe kovalente bindings.
Anode Katode Figuur 5.34 (a): Diode simbool Anode Figuur 5.34 (b): Diode
Die elektron diffundeer en beset die holtes in die P-tipe materiaal. ’n Klein gebied van die N-tipe naby die las verloor elektrone en gedra hom soos intrinsieke halfgeleiermateriaal. In die P-tipe ontstaan gate en die materiaal gedra hom soos ’n intrinsieke halfgeleier.
Hierdie dun intrinsieke gebied word die sperlaag genoem, omdat daar min lading oor is en dit hoë weerstand bied. Dit is hierdie sperlaag wat die verdere diffundering van meerderheidsdraers voorkom. Fisies gesproke is hierdie sperlaag baie dun.
Anode Spergebied Figuur 5.35: Struktuur van halfgeleierdiode 100 Katode Katode Antimoon