CONFERENCE REPORT IEDM


and Technology unveiled its deposition process for forming a MIS structure, and also detailed a new approach to characterising the interface traps in MIS-HEMTs. The latter is a tricky task, due to the presence of two interfaces: that between the dielectric and III-N, and that between AlGaN and GaN.


“ ”


At IEDM, Kevin Chen’s group from The Hong Kong University of Science


January / February 2014 www.compoundsemiconductor.net 37


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