Wide Bandgap RF Devices


GaN and SiC have a great set of attributes that make them very promising materials for producing RF devices. But are they now fulfilling their potential and netting substantial sales?


Keynote presentation: Andrew Barnes Overview of GaN reliability improvement activities at the European Space Agency


Chris Horton Enabling material solutions for GaN in the RF arena


Marc Rocchi 100nm GaN/Si mmW foundry service and MMICs


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